Datasheet STP9NK50Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить STP9NK50Z на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 246 ₽ 47 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 7.2 А, 0.72 Ом, TO-220, Through Hole
Стандарт СИЗ Россия	SFP840 (ST-STP9NK50Z) STMicroelectronics	14 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STP9NK50Z STMicroelectronics	35 ₽	Купить
Контест Россия	STP9NK50Z	136 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	STP9NK50Z STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP9NK50Z - STP9NK50ZFP STB9NK50Z - STB9NK50Z-1
N-CHANNEL 500V - 0.72 - 7.2A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
TYPE STP9NK50Z STP9NK50ZFP STB9NK50Z STB9NK50Z-1
s s s s s s
VDSS 500 500 500 500 V V V V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 850 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
• Current Id Max: 7.2 А
• Маркировка: STP9NK50Z
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 32nC
• On State resistance @ Vgs = 10V: 850 МОм
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 110 Вт
• Pulse Current Idm: 28.8 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 4.5 В/мкс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Voltage Vds: 500 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds N Channel: 10 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 3 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
• Fischer Elektronik - WLK 5