HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STW8NK80Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

STMicroelectronics STW8NK80Z

Наименование модели: STW8NK80Z

35 предложений от 17 поставщиков
N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-247 zener-protected supermeshTM power mosfet
STW8NK80Z
STMicroelectronics
31 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STW8NK80Z
STMicroelectronics
80 ₽
STW8NK80Z
STMicroelectronics
от 392 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
STW8NK80Z
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP8NK80Z - STP8NK80ZFP STW8NK80Z
N-CHANNEL 800V - 1.3 - 6.2A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTMPower MOSFET
TYPE STP8NK80Z STP8NK80ZFP STW8NK80Z
s s s s s s
VDSS 800 V 800 V 800 V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 800 В
  • On State Resistance: 1.5 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Альтернативный тип корпуса: SOT-249
  • Current Id Max: 6.2 А
  • Количество транзисторов: 1
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 1.5 Ом
  • Тип корпуса: TO-247
  • Power Dissipation Pd: 140 Вт
  • Pulse Current Idm: 24.8 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Voltage Vds Typ: 800 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
  • Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet STW8NK80Z - STMicroelectronics MOSFET, N, TO-247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России