Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet VND7NV04-E - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N-CH 40 В 6 А DPAK — Даташит

STMicroelectronics VND7NV04-E

Наименование модели: VND7NV04-E

16 предложений от 13 поставщиков
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET,N-Channel, Id=6A, Vclamp=40V, Rds(on)=60 mOhm, Pd=60W, корпус-TO-252-3, t-150°C
VND7NV04-E
STMicroelectronics
36 ₽
EIS Components
Весь мир
VND7NV04-E
STMicroelectronics
52 ₽
Элитан
Россия
VND7NV04-E
STMicroelectronics
103 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
VND7NV04E
6 106 ₽
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N-CH 40 В 6 А DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VNN7NV04, VNS7NV04 VND7NV04, VND7NV04-1
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
Features
Type VNN7NV04 VNS7NV04 VND7NV04 VND7NV04-1
RDS(on)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On State Resistance: 60 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 6 А
  • Тип корпуса: DPAK
  • Power Dissipation Pd: 60 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 45 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

VND7NV04E, VND7NV04 E

На английском языке: Datasheet VND7NV04-E - STMicroelectronics MOSFET N-CH 40 V 6 A DPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России