Datasheet VND7NV04-E - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N-CH 40 В 6 А DPAK — Даташит
Наименование модели: VND7NV04-E
Купить VND7NV04-E на РадиоЛоцман.Цены — от 36 до 6 106 ₽ 16 предложений от 13 поставщиков OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET,N-Channel, Id=6A, Vclamp=40V, Rds(on)=60 mOhm, Pd=60W, корпус-TO-252-3, t-150°C | |||
VND7NV04-E STMicroelectronics | 36 ₽ | ||
VND7NV04-E STMicroelectronics | 52 ₽ | ||
VND7NV04-E STMicroelectronics | 103 ₽ | ||
VND7NV04E | 6 106 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N-CH 40 В 6 А DPAK
Краткое содержание документа:
VNN7NV04, VNS7NV04 VND7NV04, VND7NV04-1
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
Features
Type VNN7NV04 VNS7NV04 VND7NV04 VND7NV04-1
RDS(on)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On State Resistance: 60 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 6 А
- Тип корпуса: DPAK
- Power Dissipation Pd: 60 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 45 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
VND7NV04E, VND7NV04 E