Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet STD12NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, 500 В, D-PAK — Даташит

STMicroelectronics STD12NM50N

Наименование модели: STD12NM50N

13 предложений от 7 поставщиков
MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Akcel
Весь мир
STD12NM50N
STMicroelectronics
от 401 ₽
Utmel
Весь мир
STD12NM50N
STMicroelectronics
от 404 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
STD12NM50N
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
STD12NM50N
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, 500 В, D-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB12NM50N - STD12NM50N STF12NM50N - STP12NM50N
N-channel 500V - 0.29 - 11A - TO-220 /FP- D2PAK - DPAK Second generation MDmeshTM Power MOSFET
General features
Type STB12NM50N STD12NM50N STF12NM50N STP12NM50N
VDSS (@Tjmax) 550V 550V 550V 550V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 11 А
  • Drain Source Voltage Vds: 550 В
  • On State Resistance: 380 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 25 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 11 А
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 380 МОм
  • Тип корпуса: DPAK
  • Power Dissipation Pd: 100 Вт
  • Pulse Current Idm: 44 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Voltage Vds: 550 В
  • Voltage Vds N Channel 1: 450 В
  • Voltage Vds Typ: 500 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 4 В
  • Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet STD12NM50N - STMicroelectronics MOSFET, N, 500 V, D-PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России