Datasheet STP21NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, 500 В, TO-220 — Даташит

STMicroelectronics STP21NM50N

Наименование модели: STP21NM50N

Купить STP21NM50N на РадиоЛоцман.Цены — от 63 до 464 ₽ 16 предложений от 9 поставщиков N-channel 500V - 0.15?© - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 Second generation MDmesh?„? Power MOSFET
Akcel Весь мир	STP21NM50N STMicroelectronics	от 63 ₽
Utmel Весь мир	STP21NM50N STMicroelectronics	от 64 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	STP21NM50N STMicroelectronics	464 ₽
МосЧип Россия	STP21NM50N_07 STMicroelectronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, 500 В, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP/F21NM50N - STW21NM50N STB21NM50N - STB21NM50N-1
N-channel 500V - 0.15 - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 Second generation MDmeshTM Power MOSFET
General features
Type STB21NM50N STB21NM50N-1 STF21NM50N STP21NM50N STW21NM50N VDSS (@Tjmax) 550V 550V 550V 550V 550V RDS(on) < 0.19 < 0.19 < 0.19 < 0.19 < 0.19 ID
3

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 18 А
Drain Source Voltage Vds: 500 В
On State Resistance: 190 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 25 В
Корпус транзистора: TO-220
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Avalanche Single Pulse Energy Eas: 480mJ
Capacitance Ciss Typ: 1250 пФ
Current Iar: 9 А
Current Id Max: 18 А
On State resistance @ Vgs = 10V: 190 МОм
Тип корпуса: TO-220
Power Dissipation Pd: 140 Вт
Pulse Current Idm: 72 А
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Voltage Vds: 500 В
Voltage Vds Typ: 500 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Max: 4 В
Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS