OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet 2SK3878(F) - Toshiba Даташит Полевой транзистор N CH 9 А 900 В TO3P — Даташит

Toshiba 2SK3878(F)

Наименование модели: 2SK3878(F)

51 предложений от 27 поставщиков
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 150Вт (рекомендуемая замена: TK9J90E)
AiPCBA
Весь мир
2SK3878
Toshiba
51 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
2SK3878
Toshiba
68 ₽
СЭлКом
Россия и страны СНГ
2SK3878[F]
Toshiba
105 ₽
ИМЭК
Россия и страны ТС
2SK3878 TO-3P
Toshiba
152 ₽
Датчики давления китайских производителей: высокое качество и доступность

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор N CH 9 А 900 В TO3P

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 900 В
  • On State Resistance: 1.3 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Корпус транзистора: TO-3P
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 9 А
  • Тип корпуса: TO-3P
  • Power Dissipation Pd: 150 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 900 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet 2SK3878(F) - Toshiba MOSFET N CH 9 A 900 V TO3P

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка