Datasheet Texas Instruments CSD16301Q2 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD16301Q2 |
| Модель | CSD16301Q2 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 6-WSON от -55 до 150
Datasheets
CSD16301Q2 25-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 437 Кб, Версия: D, Файл опубликован: 29 ноя 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD16301Q2 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 40 ₽19 предложений от 12 поставщиков TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Power MOSFET, N Channel, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Surface Mount | |||
| CSD16301Q2 Texas Instruments | от 13 ₽ | ||
| CSD16301Q2 Texas Instruments | 16 ₽ | ||
| CSD16301Q2 | по запросу | ||
| CSD16301Q2 Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 6 |
| Package Type | DQK |
| Package QTY | 3000 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | 1631 |
| Width (мм) | 2 |
| Length (мм) | 2 |
| Thickness (мм) | .75 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 20 A |
| Корпус | SON2x2 мм |
| QG Typ | 2 nC |
| QGD Typ | 0.4 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 23 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 29 mOhms |
| VDS | 25 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 1.1 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Application Notes
- Intel VR11.1 Server Reference DesignPDF, 38 Кб, Файл опубликован: 21 июл 2010
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
