Datasheet SI1031R-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SC-75A — Даташит

Купить SI1031R-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.93 до 41 ₽ 30 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 140 мА, 8 Ом, SC-75A, Surface Mount
AllElco Electronics Весь мир	SI1031R-T1-GE3	от 3.93 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SI1031R-T1-GE3 Vishay	от 14 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	SI1031R-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
727GS Весь мир	SI1031R-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, SC-75A

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si1031R/X
Vishay Siliconix
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 8 at VGS = - 4.5 V - 20 12 at VGS = - 2.5 V 15 at VGS = - 1.8 V 20 at VGS = - 1.5 V ID (mA) - 150 - 125 - 100 - 30

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 140 мА
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 20 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Voltage Vgs Max: 6 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SC-75
• Количество выводов: 3
• Альтернативный тип корпуса: SOT-416
• Current Id Max: -140 мА
• ESD HBM: 2 кВ
• External Depth: 1.7 мм
• Внешняя длина / высота: 0.8 мм
• Внешняя ширина: 1.6 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тип корпуса: SC-75
• Power Dissipation Pd: 250 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 250 Вт
• Pulse Current Idm: 500 мА
• SMD Marking: H
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.2 В
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 1.5 В
• Voltage Vgs th Max: -1.2 В
• Voltage Vgs th Min: -0.4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901

Варианты написания:

SI1031RT1GE3, SI1031R T1 GE3