HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI1032R-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор ESD, N CH, 20 В, 0.14 А, SC89 — Даташит

Vishay SI1032R-T1-GE3

Наименование модели: SI1032R-T1-GE3

22 предложений от 9 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 140 мА, 5 Ом, SC-89, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
SI1032R-T1-GE3
Vishay
16 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI1032R-T1-GE3
Vishay
20 ₽
SI1032R-T1-GE3
Vishay
от 27 ₽
ЭИК
Россия
SI1032R-T1-GE3
Vishay
от 40 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор ESD, N CH, 20 В, 0.14 А, SC89

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si1032R/X
Vishay Siliconix
N-Channel 1.5 V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 5 at VGS = 4.5 V 20 7 at VGS = 2.5 V 9 at VGS = 1.8 V 10 at VGS = 1.5 V ID (mA) 200 175 150 50

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On State Resistance: 5 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 6 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SC-89
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 140 мА
  • Power Dissipation Pd: 250 мВт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI1032RT1GE3, SI1032R T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI1032R-T1-GE3 - Vishay MOSFET ESD, N CH, 20 V, 0.14 A, SC89

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России