Datasheet SI1032R-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор ESD, N CH, 20 В, 0.14 А, SC89 — Даташит
Наименование модели: SI1032R-T1-GE3
![]() 29 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 140 мА, 5 Ом, SC-89, Surface Mount | |||
SI1032R-T1-GE3 | от 3.96 ₽ | ||
SI1032R-T1-GE3 Vishay | от 11 ₽ | ||
SI1032R-T1-GE3 Vishay | 18 ₽ | ||
SI1032R-T1-GE3 Siliconix | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор ESD, N CH, 20 В, 0.14 А, SC89
Краткое содержание документа:
Si1032R/X
Vishay Siliconix
N-Channel 1.5 V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 5 at VGS = 4.5 V 20 7 at VGS = 2.5 V 9 at VGS = 1.8 V 10 at VGS = 1.5 V ID (mA) 200 175 150 50
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 6 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SC-89
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 140 мА
- Power Dissipation Pd: 250 мВт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI1032RT1GE3, SI1032R T1 GE3