Datasheet SI4116DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 25 В, 18 А, 8SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4116DY-T1-GE3
![]() 32 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 18А; Idm: 50А; 3,2Вт; SO8 | |||
SI4116DY-T1-GE3 Vishay | 43 ₽ | ||
SI4116DY-T1-GE3 Vishay | от 46 ₽ | ||
SI4116DY-T1-GE3 Vishay | от 1 895 ₽ | ||
SI4116DY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 25 В, 18 А, 8SOIC
Краткое содержание документа:
New Product
Si4116DY
Vishay Siliconix
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On State Resistance: 7.1 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 18 А
- Power Dissipation Pd: 5 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4116DYT1GE3, SI4116DY T1 GE3