Datasheet SI4532CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NP-CH, 30 В, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4532CDY-T1-GE3
Купить SI4532CDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.14 до 1 489 ₽ 23 предложений от 12 поставщиков Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 6 А/4,3 А, 2.78Вт | |||
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay | 9.14 ₽ | ||
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay | от 23 ₽ | ||
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay | от 58 ₽ | ||
SI4532CDYT1GE3 | 1 489 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, NP-CH, 30 В, SO8
Краткое содержание документа:
Si4532CDY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel 30 RDS(on) () 0.047 at VGS = 10 V 0.065 at VGS = 4.5 V 0.089 at VGS = - 10 V 0.140 at VGS = - 4.5 V ID (A)a 6.0 5.2 - 4.3 - 3.4 Qg (Typ.) 2.75
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 38 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 6 А
- Power Dissipation Pd: 2.78 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4532CDYT1GE3, SI4532CDY T1 GE3