Datasheet SI7414DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, POWERPAK — Даташит

Купить SI7414DN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 35 до 172 ₽ 19 предложений от 8 поставщиков PowerPak1212-8 N-CH 60V 5.6A 25mΩ
Akcel Весь мир	SI7414DN-T1-GE3 Vishay	от 35 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI7414DN-T1-GE3 Vishay	71 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SI7414DN-T1-GE3 Vishay	72 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SI7414DN-T1-GE3 Vishay	от 172 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, POWERPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7414DN
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
FEATURES
ID (A) 8.7 7.3

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On State Resistance: 21 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SO
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 5.6 А
• Current Temperature: 25°C
• Маркировка: SI7414DN
• External Depth: 5.15 мм
• Внешняя длина / высота: 1.07 мм
• Внешняя ширина: 6.15 мм
• Fall Time tf: 12 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.9 °C/Вт
• N-channel Gate Charge: 16nC
• On State Resistance Max: 25 МОм
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 1.5 Вт
• Pulse Current Idm: 30 А
• Rise Time: 12 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Время выключения: 30 нс
• Время включения: 15 нс
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE932-01

Варианты написания:

SI7414DNT1GE3, SI7414DN T1 GE3