Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet SI7456DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 5.7 А, PPAK SO8 — Даташит

Vishay SI7456DP-T1-GE3

Наименование модели: SI7456DP-T1-GE3

36 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 5.7 А, 0.021 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
Lixinc Electronics
Весь мир
SI7456DP-T1-GE3
Vishay
от 75 ₽
Maybo
Весь мир
SI7456DP-T1-GE3
Vishay
112 ₽
727GS
Весь мир
SI7456DP-T1-GE3
Vishay
от 762 ₽
Augswan
Весь мир
SI7456DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 5.7 А, PPAK SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7456DP
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 100 RDS(on) () 0.025 at VGS = 10 V 0.028 at VGS = 6.0 V ID (A) 9.3 8.8

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 21 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 5.7 А
  • Power Dissipation Pd: 1.9 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI7456DPT1GE3, SI7456DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7456DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, 100 V, 5.7 A, PPAK SO8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка