Datasheet SIR410DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 20 В, 35 А, POWERPAK8 — Даташит
Наименование модели: SIR410DP-T1-GE3
![]() 26 предложений от 12 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
SIR410DP-T1-GE3 | от 11 ₽ | ||
SIR410DP-T1-GE3 Vishay | от 81 ₽ | ||
SIR410DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SIR410DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 20 В, 35 А, POWERPAK8
Краткое содержание документа:
SiR410DP
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.0048 at VGS = 10 V 0.0063 at VGS = 4.5 V ID (A)a 35 12.7 nC 35 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 4 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PowerPAK SO
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 35 А
- Power Dissipation Pd: 36 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SIR410DPT1GE3, SIR410DP T1 GE3