Datasheet SIS412DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 12 А, POWERPAK8 — Даташит

Купить SIS412DN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 5.94 до 75 ₽ 50 предложений от 20 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 12 А, 0.02 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount
ChipWorker Весь мир	SIS412DN-T1-GE3 Vishay	7.93 ₽	Купить
ICdarom.ru Россия	SIS412DN-T1-GE3 Vishay	от 13 ₽	Купить
Эиком Россия	SIS412DN-T1-GE3 Vishay	от 74 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SIS412DN-T1-GE3 Vishay	от 75 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 12 А, POWERPAK8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiS412DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 20 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK 1212
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 12 А
• Power Dissipation Pd: 15.6 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SIS412DNT1GE3, SIS412DN T1 GE3