Datasheet TK40J60T(Q) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 600 В, TO-3P — Даташит

Toshiba TK40J60T(Q)

Наименование модели: TK40J60T(Q)

Купить TK40J60T(Q) на РадиоЛоцман.Цены 6 предложений от 6 поставщиков Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS)
AiPCBA Весь мир	TK40J60T(Q) Toshiba	5 961 ₽
ChipWorker Весь мир	TK40J60T(Q) Toshiba	5 961 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	TK40J60T(Q)	по запросу
Acme Chip Весь мир	TK40J60T Toshiba	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 600 В, TO-3P

Скачать Data Sheet

Каталог производителя

Краткое содержание документа:
Toshiba HV Mosfets
Key product families:
DTMOS : Super Junction style MOSFET -> lower RDS(on) & Qg -MOS VII : Standard MOSFET -> with low Qg and capacitance
New naming system:
Partnumber TK: Nch-MOS TJ: Pch-MOS

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 40 А
Drain Source Voltage Vds: 600 В
On State Resistance: 80 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 30 В
Корпус транзистора: TO-3P
Количество выводов: 3
Current Id Max: 40 А
Тип корпуса: TO-3P
Power Dissipation Pd: 400 Вт
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds Typ: 600 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть