Datasheet TK4A60DA(Q,M) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.5 А, SC-67 — Даташит
Наименование модели: TK4A60DA(Q,M)
Купить TK4A60DA(Q,M) на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 143 ₽ 28 предложений от 12 поставщиков TRANSISTOR 3.5 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power... | |||
TK4A60DA (ST-STP4NK60ZFP) STMicroelectronics | 11 ₽ | ||
TK4A60DA Toshiba | от 14 ₽ | ||
TK4A60DA Toshiba | 87 ₽ | ||
TK4A60DA(STA4,Q,M) Toshiba | от 143 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.5 А, SC-67
Краткое содержание документа:
TK4A60DA
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK4A60DA
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 1.7 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: SC-67
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 3.5 А
- Power Dissipation Pd: 35 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - 220SA
- AAVID THERMALLOY - BW50-2G
- ABL HEATSINKS - 205AB0500B
- GC ELECTRONICS - 10-8108
Варианты написания:
TK4A60DA(QM), TK4A60DA(Q M)