Datasheet TSM4ND50CP - Taiwan Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 3 А, TO252 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Taiwan Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 3 А, TO252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TSM4ND50
500V N-Channel Power MOSFET
TO-252
Pin Definition: 1.

Gate 2. Drain 3. Source
PRODUCT SUMMARY VDS (V)

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 3 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 2.3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Power Dissipation Pd: 45 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
• Electrolube - SMA10SL
• MULTICORE (SOLDER) - 1399075-M