Datasheet IRFBA22N50APBF - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, 500 В, 24 А, SUPER 220 — Даташит

Купить IRFBA22N50APBF на РадиоЛоцман.Цены — от 74 до 497 ₽ 10 предложений от 9 поставщиков HEXFET?Power MOSFET | MOSFET N-CH 500V 24A SUPER-220
Maybo Весь мир	IRFBA22N50APBF Vishay	282 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRFBA22N50APBF	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IRFBA22N50APBF Vishay	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRFBA22N50APBF Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, 500 В, 24 А, SUPER 220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD-91886C
SMPS MOSFET
Applications l Switch Mode Power Supply ( SMPS ) l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current l Effective Coss Specified (See AN1001)
IRFBA22N50A
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 24 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 230 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Super-220
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 24 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.37 °C/Вт
• On State resistance @ Vgs = 10V: 230 Ом
• Тип корпуса: Super-220
• Power Dissipation Pd: 340 Вт
• Pulse Current Idm: 96 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A