Datasheet IRFBE30SPBF - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, 800 В, 4.1 А, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: IRFBE30SPBF
Купить IRFBE30SPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 35 до 314 ₽ 19 предложений от 11 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,6А; 125Вт; D2PAK | |||
IRFBE30SPBF Vishay | 35 ₽ | ||
IRFBE30SPBF Vishay | 91 ₽ | ||
IRFBE30SPBF | по запросу | ||
IRFBE30SPBF Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, 800 В, 4.1 А, D2-PAK
Краткое содержание документа:
PD - 94694
Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements
G
HEXFET® Power MOSFET
D
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.1 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 1.2 Ом
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 1 °C/Вт
- On State resistance @ Vgs = 10V: 1.2 Ом
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 130 Вт
- Pulse Current Idm: 16 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds: 600 В
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5