Datasheet IRFBE30SPBF - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, 800 В, 4.1 А, D2-PAK — Даташит

Купить IRFBE30SPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 37 до 284 ₽ 33 предложений от 14 поставщиков Высоковольтное MOS, VISHAY IRFBE30SPBF Power MOSFET, N Channel, 4.1A, 800V, 3Ω, 10V, 4V
ChipWorker Весь мир	IRFBE30SPBF Vishay	106 ₽	Купить
Эиком Россия	IRFBE30SPBF Vishay	от 271 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRFBE30SPBF	от 284 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	IRFBE30SPBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, 800 В, 4.1 А, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94694
Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements
G
HEXFET® Power MOSFET
D

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 1.2 Ом
• Корпус транзистора: D2-PAK
• Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 1 °C/Вт
• On State resistance @ Vgs = 10V: 1.2 Ом
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 130 Вт
• Pulse Current Idm: 16 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds: 600 В
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5