Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet IRFBE30SPBF - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, 800 В, 4.1 А, D2-PAK — Даташит

Vishay IRFBE30SPBF

Наименование модели: IRFBE30SPBF

40 предложений от 17 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
ChipWorker
Весь мир
IRFBE30SPBF
Vishay
111 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
IRFBE30SPBF
Vishay
от 117 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRFBE30SPBF
Vishay
160 ₽
IRFBE30SPBF
Vishay
от 319 ₽
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, 800 В, 4.1 А, D2-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94694
Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements
G
HEXFET® Power MOSFET
D

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.1 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 1.2 Ом
  • Корпус транзистора: D2-PAK
  • Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 1 °C/Вт
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 1.2 Ом
  • Тип корпуса: D2-PAK
  • Power Dissipation Pd: 130 Вт
  • Pulse Current Idm: 16 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vds: 600 В
  • Voltage Vds Typ: 800 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IRFBE30SPBF - Vishay MOSFET, N, 800 V, 4.1 A, D2-PAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка