Datasheet SI1016X-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SOT-563 — Даташит
Наименование модели: SI1016X-T1-E3
![]() 18 предложений от 15 поставщиков Транзисторы - Двойные МОП-транзисторы | |||
SI1016X-T1-E3 Vishay | от 24 ₽ | ||
SI1016X-T1-E3 | 85 ₽ | ||
SI1016X-T1-E3-H | по запросу | ||
SI1016X-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SOT-563
Краткое содержание документа:
Si1016X
Vishay Siliconix
Complementary N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.70 at VGS = 4.5 V N-Channel 20 0.85 at VGS = 2.5 V 1.25 at VGS = 1.8 V 1.2 at VGS = - 4.5 V P-Channel - 20 1.6 at VGS = - 2.5 V 2.7 at VGS = - 1.8 V ID (mA) 600 500 350 - 400 - 300 - 150
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 600 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 700 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 800 мВ
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- Корпус транзистора: SOT-563
- Количество выводов: 6
- Current Id Max: 600 мА
- Тип корпуса: SOT-563
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 1 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI1016XT1E3, SI1016X T1 E3