Datasheet SI1551DL-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SOT-363 — Даташит
Наименование модели: SI1551DL-T1-E3
![]() 21 предложений от 15 поставщиков Транзисторы - Двойные МОП-транзисторы | |||
SI1551DL-T1-E3 Vishay | 88 ₽ | ||
SI1551DL-T1-E3 | по запросу | ||
SI1551DL-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI1551DL-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SOT-363
Краткое содержание документа:
Si1551DL
Vishay Siliconix
Complementary 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel 20 RDS(on) () 1.9 at VGS = 4.5 V 3.7 at VGS = 2.7 V 4.2 at VGS = 2.5 V 0.995 at VGS = - 4.5 V P-Channel - 20 1.600 at VGS = - 2.7 V 1.800 at VGS = - 2.5 V ID (A) 0.30 0.22 0.21 - 0.44 - 0.34 - 0.32 0.52 0.72 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 300 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 1.9 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 270 мВт
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- Current Id Max: 300 мА
- Тип корпуса: SOT-363
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 1.5 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI1551DLT1E3, SI1551DL T1 E3