Datasheet SI3441BDV-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, TSOP-6 — Даташит

Купить SI3441BDV-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.86 до 58 ₽ 16 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.07Ω; ID -2.45A; TSOP-6; PD 0.86W; VGS +/-8V
Эиком Россия	SI3441BDV-T1-E3	от 58 ₽	Купить
Контест Россия	SI3441BDV-T1-E3	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SI3441BDV-T1-E3	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SI3441BDV-T1-E3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, TSOP-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si3441BDV
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.45 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 90 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Voltage Vgs Max: -850 мВ
• Корпус транзистора: TSOP
• Количество выводов: 6
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 5.2nC
• Current Id Max: -2.45 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 2.85 мм
• Внешняя длина / высота: 1.45 мм
• Внешняя ширина: 3 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 130 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 90 МОм
• Тип корпуса: TSOP
• Power Dissipation Pd: 860 мВт
• Pulse Current Idm: 16 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 50 нс
• SMD Marking: B1xxx
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -850 мВ
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: -0.45 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SI3441BDVT1E3, SI3441BDV T1 E3