Datasheet SI3445DV-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор транзистор — Даташит
Наименование модели: SI3445DV-T1-E3
![]() 26 предложений от 16 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET P-CH 8V 5.6A 6Pin TSOP T/R | |||
SI3445DV-T1-E3 Vishay | 54 ₽ | ||
SI3445DV-T1-E3 | от 109 ₽ | ||
SI3445DV-T1-E3 Vishay | 155 ₽ | ||
SI3445DV-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор транзистор
Краткое содержание документа:
Si3445DV
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) -8 RDS(on) () 0.042 at VGS = - 4.5 V 0.060 at VGS = - 2.5 V 0.080 at VGS = - 1.8 V ID (A) ± 5.6 ± 4.7 ± 2.9
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.6 А
- Drain Source Voltage Vds: -8 В
- On Resistance Rds(on): 42 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TSOP
- Количество выводов: 6
- Current Id Max: 5.6 А
- Тип корпуса: 6-TSOP
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: -8 В
- Voltage Vgs Max: -1 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI3445DVT1E3, SI3445DV T1 E3