Datasheet SI3447CDV-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, TSOP-6 — Даташит

Купить SI3447CDV-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 310 ₽ 10 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET P-CH 12V 6.3A 6Pin TSOP T/R
ChipWorker Весь мир	SI3447CDV-T1-E3 Vishay	11 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SI3447CDV-T1-E3 Vishay	от 19 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SI3447CDV-T1-E3 Vishay	23 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	SI3447CDV-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, TSOP-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si3447CDV
Vishay Siliconix
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.036 at VGS = - 4.5 V - 12 0.050 at VGS = - 2.5 V 0.068 at VGS = - 1.8 V ID (A)a - 7.8 - 6.6 - 5.6 12 nC Qg (Typ.)

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.8 А
• Drain Source Voltage Vds: -12 В
• On Resistance Rds(on): 36 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 8 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
• Рассеиваемая мощность: 3 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TSOP
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: -7.8 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: TSOP
• Rise Time: 40 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 12 В
• Voltage Vgs Max: -1 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1 В
• Voltage Vgs th Min: 0.4 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI3447CDVT1E3, SI3447CDV T1 E3