Datasheet SI3457BDV-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, 6-TSOP — Даташит
Наименование модели: SI3457BDV-T1-E3
![]() 21 предложений от 16 поставщиков Труба MOS, MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -30V; RDS(ON) 0.044Ω; ID -3.7A; TSOP-6; PD 1.14W; VGS +/-20 | |||
SI3457BDV-T1-E3 Vishay | 26 ₽ | ||
SI3457BDV-T1-E3-H | по запросу | ||
SI3457BDV-T1-E3 | по запросу | ||
SI3457BDV-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, 6-TSOP
Краткое содержание документа:
Si3457BDV
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.054 at VGS = - 10 V 0.100 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 5.0 - 3.7
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -5 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 54 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Корпус транзистора: TSOP
- Количество выводов: 6
- Current Id Max: -3.7 А
- Тип корпуса: TSOP
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Max: -3 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI3457BDVT1E3, SI3457BDV T1 E3