Datasheet SI5513DC-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 8-1206 — Даташит

Vishay SI5513DC-T1-E3

Наименование модели: SI5513DC-T1-E3

Купить SI5513DC-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 91 до 116 ₽ 10 предложений от 7 поставщиков MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
AiPCBA Весь мир	SI5513DC-T1-E3 Vishay	91 ₽
ChipWorker Весь мир	SI5513DC-T1-E3 Vishay	92 ₽
Akcel Весь мир	SI5513DC-T1-E3 Vishay	от 116 ₽
ТаймЧипс Россия	SI5513DC-T1-E3 Vishay	по запросу

Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 8-1206

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si5513DC
Vishay Siliconix
Complementary 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel P-Channel 20 - 20 RDS(on) () 0.075 at VGS = 4.5 V 0.134 at VGS = 2.5 V 0.155 at VGS = - 4.5 V 0.260 at VGS = - 2.5 V ID (A) 4.2 3.1 - 2.9 - 2.2 Qg (Typ.) 4 3

Спецификации:

Полярность транзистора: N and P Channel
Continuous Drain Current Id: 4.2 А
Drain Source Voltage Vds: 20 В
On Resistance Rds(on): 75 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
Рассеиваемая мощность: 1.1 Вт
Корпус транзистора: 1206
Количество выводов: 8
Current Id Max: 4.2 А
Тип корпуса: 1206-8 ChipFET
Способ монтажа: SMD
Voltage Vds Typ: 20 В
Voltage Vgs Max: 1.5 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI5513DCT1E3, SI5513DC T1 E3