Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SI4425BDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 8.8 А, 8SOIC — Даташит

Vishay SI4425BDY-T1-E3

Наименование модели: SI4425BDY-T1-E3

31 предложений от 19 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; Idm: -50А; 0,9Вт; SO8
SI4425BDY-T1-E3
Vishay
13 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4425BDY-T1-E3
Vishay
28 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SI4425BDY-T1-E3
Vishay
по запросу
SI4425BDY-T1E3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 8.8 А, 8SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4425BDY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.012 at VGS = - 10 V 0.019 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 11.4 - 9.1

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -8.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.01 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
  • RoHS: да

Варианты написания:

SI4425BDYT1E3, SI4425BDY T1 E3

На английском языке: Datasheet SI4425BDY-T1-E3 - Vishay MOSFET, P CH, 30 V, 8.8 A, 8SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России