Datasheet SI3447BDV-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, TSOP-6 — Даташит

Купить SI3447BDV-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 66 ₽ 15 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
AiPCBA Весь мир	SI3447BDV-T1-E3 Vishay	20 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	SI3447BDVT1E3 Vishay	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	SI3447BDV-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить
727GS Весь мир	SI3447BDV-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, TSOP-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si3447BDV
Vishay Siliconix
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) rDS(on) (W)

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 12 В
• On State Resistance: 40 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Voltage Vgs Max: -8 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TSOP
• Количество выводов: 6
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 9.3nC
• Current Id Max: -4.5 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 2.85 мм
• Внешняя длина / высота: 1.45 мм
• Внешняя ширина: 3 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 53 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 40 МОм
• Тип корпуса: TSOP
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Pulse Current Idm: 20 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 40 нс
• SMD Marking: B7xxx
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
• Voltage Vds: 12 В
• Voltage Vds Typ: -12 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: -0.45 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SI3447BDVT1E3, SI3447BDV T1 E3