Datasheet SI3443BDV-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, TSOP — Даташит
Наименование модели: SI3443BDV-T1-E3
![]() 37 предложений от 22 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; 1,3Вт; TSOP6 | |||
SI3443BDV-T1-E3 Vishay | от 40 ₽ | ||
SI3443BDV-T1-E3 Vishay | от 41 ₽ | ||
SI3443BDV-T1-E3 Vishay | от 48 ₽ | ||
SI3443BDV-T1-E3 Vishay | 84 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, TSOP
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 80 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: -12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TSOP
- Количество выводов: 6
- Семейство: 3443
- Current Id Max: -3.6 А
- Тип корпуса: TSOP
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Pulse Current Idm: 20 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
- Выходной ток максимальный: 1.1 А
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
SI3443BDVT1E3, SI3443BDV T1 E3