Datasheet SIB411DK-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, PPAK SC-75 — Даташит

Купить SIB411DK-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены 7 предложений от 6 поставщиков MOSFET P-CH D-S 20V PPAK SC75-6L
727GS Весь мир	SIB411DK-T1-GE3 Vishay	от 28 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	SIB411DK-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SIB411DK-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SIB411DK-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, PPAK SC-75

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiB411DK
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.066 at VGS = - 4.5 V 0.094 at VGS = - 2.5 V 0.130 at VGS = - 1.8 V ID (A) - 9a - 9a -9

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 9 А
• Drain Source Voltage Vds: -20 В
• On State Resistance: 66 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 8 В
• Voltage Vgs Max: -1 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SC-75
• Количество выводов: 6
• Current Id Max: -9 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: SC-75
• Power Dissipation Pd: 13 Вт
• Rise Time: 40 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1 В
• Voltage Vgs th Min: 0.4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SIB411DKT1GE3, SIB411DK T1 GE3