Datasheet SI2306BDS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить SI2306BDS-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 111 ₽ 45 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 4 А, 0.038 Ом, TO-236, Surface Mount
T-electron Россия и страны СНГ	SI2306BDS-T1-E3 Vishay	13 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	SI2306BDS-T1-E3 Vishay	14 ₽	Купить
Контест Россия	SI2306BDS-T1-E3	105 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SI2306BDS-T1-E3 Siliconix	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2306BDS
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.047 at VGS = 10 V 0.065 at VGS = 4.5 V ID (A) 4.0 3.5 Qg (Typ.) 3.0

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 47 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 3.16 А
• Тип корпуса: SOT-23
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2306BDST1E3, SI2306BDS T1 E3