Datasheet SI3442BDV-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 4.2 А — Даташит

Vishay SI3442BDV-T1-GE3

Наименование модели: SI3442BDV-T1-GE3

Купить SI3442BDV-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 252 ₽ 10 предложений от 7 поставщиков N-Channel 20 V 3A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
AiPCBA Весь мир	SI3442BDV-T1-GE3 Vishay	18 ₽
ChipWorker Весь мир	SI3442BDV-T1-GE3 Vishay	19 ₽
Akcel Весь мир	SI3442BDV-T1-GE3 Vishay	от 252 ₽
Океан Электроники Россия	SI3442BDV-T1-GE3 Vishay	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 4.2 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si3442BDV
Vishay Siliconix
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.057 at VGS = 4.5 V 0.090 at VGS = 2.5 V ID (A) 4.2 3.4

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 4.2 А
Drain Source Voltage Vds: 20 В
On Resistance Rds(on): 0.057 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI3442BDVT1GE3, SI3442BDV T1 GE3