Datasheet SI3456DDV-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 6.3 А, TSOP6 — Даташит
Наименование модели: SI3456DDV-T1-GE3
![]() 35 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 6.3 А, 0.033 Ом, TSOP, Surface Mount | |||
SI3456DDV-T1-GE3 | от 3.20 ₽ | ||
SI3456DDV-T1-GE3 Vishay | от 11 ₽ | ||
SI3456DDV-T1-GE3 Vishay | от 1 705 ₽ | ||
SI3456DDV-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 6.3 А, TSOP6
Краткое содержание документа:
New Product
Si3456DDV
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 33 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TSOP
- Количество выводов: 6
- Current Id Max: 5 А
- Power Dissipation Pd: 1.7 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- CHEMTRONICS - CW8400
- EREM - 00SA
- MULTICORE (SOLDER) - 698840
Варианты написания:
SI3456DDVT1GE3, SI3456DDV T1 GE3