HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI3456DDV-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 6.3 А, TSOP6 — Даташит

Vishay SI3456DDV-T1-GE3

Наименование модели: SI3456DDV-T1-GE3

23 предложений от 11 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 6.3 А, 0.033 Ом, TSOP, Surface Mount
SI3456DDV-T1-GE3
Vishay
4.25 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI3456DDV-T1-GE3
Vishay
14 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI3456DDV-T1-GE3
Vishay
18 ₽
Acme Chip
Весь мир
SI3456DDV-T1-GE3
Vishay
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 6.3 А, TSOP6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si3456DDV
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 33 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TSOP
  • Количество выводов: 6
  • Current Id Max: 5 А
  • Power Dissipation Pd: 1.7 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CHEMTRONICS - CW8400
  • EREM - 00SA
  • MULTICORE (SOLDER) - 698840

Варианты написания:

SI3456DDVT1GE3, SI3456DDV T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI3456DDV-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, 30 V, 6.3 A, TSOP6

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России