Datasheet SI4812BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит MOSFET+DIODE, N CH, 30 В, 7.3 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4812BDY-T1-GE3
Купить SI4812BDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 121 ₽ 10 предложений от 7 поставщиков MOSFET 30V 9.5A 2.5W 16mohm @ 10V | |||
SI4812BDY-T1-GE3 Vishay | от 13 ₽ | ||
SI4812BDY-T1-GE3 Vishay | 26 ₽ | ||
SI4812BDY-T1-GE3 Vishay | 80 ₽ | ||
SI4812BDY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: MOSFET+DIODE, N CH, 30 В, 7.3 А, SO8
Краткое содержание документа:
Si4812BDY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
MOSFET PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.016 at VGS = 10 V 0.021 at VGS = 4.5 V ID (A) 9.5 7.7
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 13 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 7.3 А
- Power Dissipation Pd: 1.4 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- CHEMTRONICS - CW8400
- EREM - 00SA
- MULTICORE (SOLDER) - 698840
- Roth Elektronik - RE932-01
Варианты написания:
SI4812BDYT1GE3, SI4812BDY T1 GE3