Datasheet SI7460DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, PPAK SO-8 — Даташит

Купить SI7460DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 52 до 596 ₽ 29 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, типа TrenchFET, N Канал, 60 В, 11 А, 0.008 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
Стандарт СИЗ Россия	SI7460DP-T1-GE3 Vishay	52 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI7460DP-T1-GE3 Vishay	88 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI7460DP-T1-GE3 Vishay	116 ₽	Купить
Akcel Весь мир	SI7460DP-T1-GE3 Vishay	от 596 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, PPAK SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7460DP
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 60 RDS(on) () 0.0096 at VGS = 10 V 0.012 at VGS = 4.5 V ID (A) 18 16

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 18 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 9.6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 1.9 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SO
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 11 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: PowerPAK
• Rise Time: 16 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI7460DPT1GE3, SI7460DP T1 GE3