HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI7850DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Vishay SI7850DP-T1-E3

Наименование модели: SI7850DP-T1-E3

33 предложений от 18 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 10.3 А, 0.022 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
SI7850DP-T1-E3
Vishay
33 ₽
ЧипСити
Россия
SI7850DP-T1-E3
Vishay
72 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SI7850DP-T1-E3
Vishay
по запросу
Flash-Turtle
Весь мир
SI7850DP-T1-E3
Vishay
по запросу
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7850DP
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 60 RDS(on) () 0.022 at VGS = 10 V 0.031 at VGS = 4.5 V ID (A) 10.3 8.7

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 10.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 22 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
  • Корпус транзистора: PowerPAK SO
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 10.3 А
  • Тип корпуса: SOIC PowerPAK
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 60 В
  • Voltage Vgs Max: 3 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI7850DPT1E3, SI7850DP T1 E3

На английском языке: Datasheet SI7850DP-T1-E3 - Vishay MOSFET, N, SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России