Datasheet SI7850DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI7850DP-T1-E3
Купить SI7850DP-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 33 до 293 ₽ 33 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 10.3 А, 0.022 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount | |||
SI7850DP-T1-E3 Vishay | 33 ₽ | ||
SI7850DP-T1-E3 Vishay | 72 ₽ | ||
SI7850DP-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI7850DP-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
Si7850DP
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 60 RDS(on) () 0.022 at VGS = 10 V 0.031 at VGS = 4.5 V ID (A) 10.3 8.7
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 22 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
- Корпус транзистора: PowerPAK SO
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 10.3 А
- Тип корпуса: SOIC PowerPAK
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI7850DPT1E3, SI7850DP T1 E3