Datasheet SIA444DJT-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 12 А, SC70 PPAK — Даташит

Купить SIA444DJT-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 41 ₽ 10 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6Pin PowerPAK SC-70 T/R
ChipWorker Весь мир	SIA444DJT-T1-GE3 Vishay	17 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SIA444DJT-T1-GE3 Vishay	41 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	SIA444DJT-T1-GE3	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SIA444DJT-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 12 А, SC70 PPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiA444DJT
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
FEATURES PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 0.014 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SC70
• Количество выводов: 6
• Current Id Max: 11 А
• Power Dissipation Pd: 3.5 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
• Fairchild - FDS6900AS
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK

Варианты написания:

SIA444DJTT1GE3, SIA444DJT T1 GE3