Datasheet SIB410DK-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 9 А, SC75 PPAK — Даташит

Купить SIB410DK-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 1 136 ₽ 12 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, SiB410DK Series N Channel 30V 0.042Ω 2.5W SMT Mosfet - PowerPAK SC-75-6L
ChipWorker Весь мир	SIB410DK-T1-GE3 Vishay	10 ₽	Купить
727GS Весь мир	SIB410DK-T1-GE3 Vishay	от 1 136 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SIB410DK-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SIB410DK-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 9 А, SC75 PPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiB410DK
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 0.034 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 8 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SC75
• Количество выводов: 6
• Current Id Max: 5.9 А
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
• Electrolube - SMA10SL

Варианты написания:

SIB410DKT1GE3, SIB410DK T1 GE3