Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet SIR800DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 20 В, 50 А, PPAKSO8 — Даташит

Vishay SIR800DP-T1-GE3

Наименование модели: SIR800DP-T1-GE3

17 предложений от 9 поставщиков
N-Channel 20 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
AiPCBA
Весь мир
SIR800DP-T1-GE3
Vishay
141 ₽
ChipWorker
Весь мир
SIR800DP-T1-GE3
Vishay
141 ₽
ЭИК
Россия
SIR800DP-T1-GE3
Vishay
от 150 ₽
SIR800DP-T1-GE3
Vishay
от 185 ₽
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 20 В, 50 А, PPAKSO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR800DP
Vishay Siliconix
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On State Resistance: 1900µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 12 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 35.4 А
  • Power Dissipation Pd: 5.2 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
  • Vishay - SI9926CDY-T1-E3

Варианты написания:

SIR800DPT1GE3, SIR800DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIR800DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, DIODE, 20 V, 50 A, PPAKSO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России