Datasheet SIR890DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR890DP
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 50 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 2.9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 5 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SO
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 30 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: PowerPAK
• Rise Time: 18 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.6 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR890DPT1E3, SIR890DP T1 E3