Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet SIS434DN-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 35 А — Даташит

Vishay SIS434DN-T1-GE3

Наименование модели: SIS434DN-T1-GE3

19 предложений от 10 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 17,6А; Idm: 60А; 33Вт
AiPCBA
Весь мир
SIS434DN-T1-GE3
Vishay
39 ₽
ChipWorker
Весь мир
SIS434DN-T1-GE3
Vishay
39 ₽
Триема
Россия
SIS434DN-T1-GE3
Vishay
95 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SIS434DN-T1-GE3
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 35 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiS434DN
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0076 at VGS = 10 V 0.0092 at VGS = 4.5 V ID (A)a 35 12.5 nC 35 Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 35 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0076 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SIS434DNT1GE3, SIS434DN T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIS434DN-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 40 V, 35 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России