Datasheet SQD40N10-25-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 40 А, TO-252 — Даташит

Vishay SQD40N10-25-GE3

Наименование модели: SQD40N10-25-GE3

Купить SQD40N10-25-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 149 до 27 271 ₽ 13 предложений от 9 поставщиков N-Channel 100 V 40A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
AiPCBA Весь мир	SQD40N10-25-GE3 Vishay	149 ₽
ChipWorker Весь мир	SQD40N10-25-GE3 Vishay	152 ₽
Элитан Россия	SQD40N10-25_GE3 Vishay	1 513 ₽
МосЧип Россия	SQD40N10-25-GE3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 40 А, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQD40N10-25
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 100 0.025 0.029 40 Single

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 40 А
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On State Resistance: 0.019 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Power Dissipation Pd: 136 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-252
Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQD40N1025GE3, SQD40N10 25 GE3