Datasheet SQD50N02-04-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 20 В, 50 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SQD50N02-04-GE3
Купить SQD50N02-04-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 222 до 227 ₽ | |||
SQD50N02-04-GE3 Vishay | 222 ₽ | ||
SQD50N02-04-GE3 Vishay | 227 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 20 В, 50 А, TO-252
Краткое содержание документа:
SQD50N02-04
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 20 0.0043 0.006 50 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 50 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 0.0033 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 136 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQD50N0204GE3, SQD50N02 04 GE3