Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SQD50N02-04-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 20 В, 50 А, TO-252 — Даташит

Vishay SQD50N02-04-GE3

Наименование модели: SQD50N02-04-GE3

AiPCBA
Весь мир
SQD50N02-04-GE3
Vishay
222 ₽
ChipWorker
Весь мир
SQD50N02-04-GE3
Vishay
227 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 20 В, 50 А, TO-252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQD50N02-04
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 20 0.0043 0.006 50 Single

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 50 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On State Resistance: 0.0033 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Power Dissipation Pd: 136 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQD50N0204GE3, SQD50N02 04 GE3

На английском языке: Datasheet SQD50N02-04-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W DIODE, 20 V, 50 A, TO-252

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России