Datasheet SI4800BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 9 А, SOIC — Даташит

Купить SI4800BDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.25 до 415 ₽ 30 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8Pin SOIC N T/R
Компонентс Ру Россия	SI4800BDY-T1-GE3 Vishay	от 56 ₽	Купить
727GS Весь мир	SI4800BDY-T1-GE3 Vishay	от 415 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	SI4800BDY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SI4800BDY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 9 А, SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4800BDY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0185 at VGS = 10 V 0.030 at VGS = 4.5 V ID (A) 9 7

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 9 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 30 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 25 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 25 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4800BDYT1GE3, SI4800BDY T1 GE3