Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SIR418DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 40 А, POWERPAK — Даташит

Vishay SIR418DP-T1-GE3

Наименование модели: SIR418DP-T1-GE3

29 предложений от 13 поставщиков
VISHAY SIR418DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 40 V, 0.00415 ohm, 10 V, 2.4 V
Lixinc Electronics
Весь мир
SIR418DP-T1-GE3
Vishay
от 53 ₽
Эиком
Россия
SIR418DP-T1-GE3
Vishay
от 93 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SIR418DP-T1-GE3 MOS()
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SIR418DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Современные альтернативы AC/DC-преобразователю хIPER12A от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 40 А, POWERPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiR418DP
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
FEATURES PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.005 at VGS = 10 V 0.006 at VGS = 4.5 V ID (A)a 40 40 Qg (Typ.) 24

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 40 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.00415 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PowerPAKSO-8
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 39 Вт
  • RoHS: да

Варианты написания:

SIR418DPT1GE3, SIR418DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIR418DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, 40 V, 40 A, POWERPAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка