Datasheet SI1050X-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SC-89 — Даташит

Купить SI1050X-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 11 776 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков транзистор характеристики, MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F
Lixinc Electronics Весь мир	SI1050X-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SI1050X-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SI1050X-T1-E3	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SI1050X-T1-E3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SC-89

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 8 В
• On Resistance Rds(on): 86 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 900 мВ
• Корпус транзистора: SC-89
• Количество выводов: 6
• Семейство: 1050
• N-channel Gate Charge: 7.1nC
• On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 102 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 93 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 86 МОм
• Тип корпуса: SC-89
• Power Dissipation Pd: 236 мВт
• Pulse Current Idm: 6 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 8 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 0.9 В
• Voltage Vgs th Min: 0.35 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI1050XT1E3, SI1050X T1 E3