Datasheet SIE806DF-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, POLAR PAK — Даташит

Купить SIE806DF-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 24 до 1 018 ₽ 11 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V
AiPCBA Весь мир	SIE806DF-T1-E3 Vishay	185 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SIE806DF-T1-E3 Vishay	199 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SIE806DF-T1-E3	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SIE806DF-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, POLAR PAK

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 202 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 1.7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.3 В
• Корпус транзистора: PolarPAK
• Количество выводов: 10
• Семейство: 806
• Current Id Max: 60 А
• N-channel Gate Charge: 75nC
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 2.1 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 1.7 МОм
• Тип корпуса: PolarPAK
• Power Dissipation Pd: 125 Вт
• Pulse Current Idm: 100 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 1.3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2 В
• Voltage Vgs th Min: 0.6 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SIE806DFT1E3, SIE806DF T1 E3