Datasheet SIE808DF-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, POLAR PAK — Даташит
Наименование модели: SIE808DF-T1-E3
![]() 14 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, PolarPAK-10 N-CH 20V 45A 1.6mΩ | |||
SIE808DF-T1-E3 | от 50 ₽ | ||
SIE808DF-T1-E3 Vishay | 64 ₽ | ||
SIE808DF-T1-E3 Vishay | 151 ₽ | ||
SIE808DF-T1-E3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, POLAR PAK
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 220 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 1.6 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.3 В
- Рабочий диапазон температрур: -50°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PolarPAK
- Количество выводов: 10
- Семейство: 808
- Current Id Max: 60 А
- N-channel Gate Charge: 46nC
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 2.5 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 1.6 МОм
- Тип корпуса: PolarPAK
- Power Dissipation Pd: 125 Вт
- Pulse Current Idm: 100 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 2.3 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 3 В
- Voltage Vgs th Min: 1.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
SIE808DFT1E3, SIE808DF T1 E3