Datasheet SIE812DF-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, POLAR PAK — Даташит

Vishay SIE812DF-T1-E3

Наименование модели: SIE812DF-T1-E3

Купить SIE812DF-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 41 до 186 ₽ 10 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, MOSFET 40V 60A 125W 2.6mohm @ 10V
ChipWorker Весь мир	SIE812DF-T1-E3 Vishay	126 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	SIE812DF-T1-E3	по запросу
727GS Весь мир	SIE812DF-T1-E3 Vishay	по запросу
МосЧип Россия	SIE812DF-T1-E3 Vishay	по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, POLAR PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiE812DF
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
ID (A)a VDS (V) 40 RDS(on) ()e 0.0026 at VGS = 10 V 0.0034 at VGS = 4.5 V Silicon Limit 163 143 Package Qg (Typ.) Limit 60 52 nC 60

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 163 А
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 2.6 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.3 В
Рабочий диапазон температрур: -50°C ...
+150°C
Корпус транзистора: PolarPAK
Семейство: 812
N-channel Gate Charge: 52nC
On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 3.4 МОм
On State resistance @ Vgs = 10V: 2.6 МОм
Тип корпуса: PolarPAK
Power Dissipation Pd: 125 Вт
Pulse Current Idm: 100 А
Способ монтажа: SMD
Voltage Vds Typ: 40 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Max: 3 В
Voltage Vgs th Min: 1.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SIE812DFT1E3, SIE812DF T1 E3